◆发表要点
·碳纳米管和六方氮化硼的异质结构的大规模集合成功。
·在电气特性上发现了像脑神经那样记忆行为。
·我们提出了一种记忆行为电器特性发现机制的模型。

冈山大学研究生院自然科学研究科（工）博士前期课程1年的岸渊美咲研究生和同大学术研究院自然科学领域的铃木弘朗助教、林靖彦教授等研究小组在碳纳米管（CNT）中合成了六方氮化硼（hBN）的新材料（一维hBN/CNT异质结构）的大规模集合体（体积比例化）成功完成，在新材料中发现了像脑部神经键一样的记忆行为。
本次研究成果于2021年7月30日刊登在美国化学会（American Chemical Society）发行的学术杂志《ACS Applied Electronic Materials 》上。
记忆记录仪是将通过元件的电荷信息作为电阻变化来存储的被动元件，可以进行模拟脑神经的动作。因此，对于拥有和人脑相同思考回路的神经形态计算来说是不可或缺的。这次明确了记录仪动作的材料可以用线状弯曲，所以可以期待在柔性设备上实现。灵活的记录仪元件今后将为AI和IoE的发展做出巨大贡献。

◆研究者表示
这是从本科4年级开始作为毕业论文题目进行的研究。虽然因为新冠疫情研究的时间有限，但是得到了研究室成员的支持。谢谢！（岸渊）
这是2020年到任冈山大学后新着手的研究。研究室采用了最新的CNT合成技术，结果发现了非常有趣的现象（铃木）

■论文信息
论文名：Memristive Behavior in One-Dimensional Hexagonal Boron Nitride Carbon Nanotube Heterostructure Assembliesl
刊登： ACS Applied Electronic Materials
作者：Hiroo Suzuki, Misaki Kishibuchi, Kazuma Shimogami, Mitsuaki Maetani, Kyohei Nasu, Tomohiro Nakagawa, Yuichiro Tanaka, Yasuhiko Hayashi
D O I：10.1021/acsaelm.1c00472
U R L： Memristive Behavior in One-Dimensional Hexagonal Boron Nitride/Carbon Nanotube Heterostructure Assemblies
＜详细研究内容＞
//www.okayama-u.ac.jp/up_load_files/press_r3/press20210811_suzuki.pdf
＜咨询窗口＞
冈山大学学术研究院 自然科学领域 助教　铃木　弘朗
（TEL）086-251-8133 （FAX）086-251-8133